11月27日，三星宣布内存芯片和代工芯片部门的新负责人。截至当天收盘，三星股价下跌超过3%。
根据最新任命，负责半导体及设备解决方案（DS）部门的负责人、公司副董事长Jun Young-hyun被委以更大职责，他将担任三星联合首席执行官，同时负责DS和存储芯片业务；负责三星电子美国半导体业务的执行副总裁Han Jin-man被提拔为总裁，并担任代工业务部负责人；芯片工厂工程和运营主管Seok-woo Nam将就任代工业务首席技术官。
三星芯片部门的最新任命是在该部门业绩大幅下滑之际宣布的。上个月，三星为该部门季度利润暴跌40%道歉，并表示这与“主要客户”的AI芯片业务遭遇延迟有关。
过去一年来，三星一直在努力发展AI芯片业务，希望能够在内存芯片领域追赶SK海力士，并在代工芯片领域追赶台积电。但由于AI内存芯片的量产交付延迟，自今年8月以来，三星股价累计跌幅已接近30%。公司迫切需要扭转危机。
本周，三星董事长李在镕罕见公开评论公司业务，称“三星面临着前所未有的挑战”。李在镕在作为被告人的会计欺诈案终审听证会上表示：“我完全清楚，人们对三星的未来存在严重担忧。”
目前，三星正在AI高带宽内存芯片（HBM）领域的主要竞争对手为SK海力士和美光。而从全球市场对HBM芯片的需求来看，英伟达和AMD这样的AI芯片巨头是此类芯片的最主要客户。
英伟达创始人、CEO黄仁勋早在今年3月英伟达的GTC技术峰会上就曾表示，除了SK海力士外，英伟达正在测试三星的HBM芯片，并有望在未来使用。
8个月后，黄仁勋日前在香港谈到该公司是否计划采用三星的内存芯片时仍然表示，正在加速验证三星的8层及12层高带宽芯片。
HBM是一种DRAM标准存储芯片，于2013年首次推出，它的核心技术是依靠芯片垂直堆叠以节省空间并降低功耗，非常适合处理复杂人工智能应用程序产生的大量数据。
黄仁勋此前称，HBM制造难度极大，“堪称奇迹”。这些芯片的制造更加复杂，提高产量也很困难。根据市场情报公司TrendForce今年3月的一份报告，与个人电脑和服务器中常见的DDR5内存芯片相比，HBM的生产周期要慢1.5至2个月。
研究机构Gartner分析师盛陵海向第一财经记者分析称：“HBM要垂直堆叠，还要再在基板上和主芯片封在一起，制造过程复杂，良率低。”
截至今年3月，SK海力士仍是英伟达AI芯片唯一公开的新一代HBM供应商。在英伟达最新发布的Blackwell架构的AI芯片中，整个芯片封装了192GB的高速HBM3e显存，大大增强了数据吞吐能力。
SK海力士已于今年第三季度开始量产12层HBM3e，这也是最新一代的HBM。尽管如此，黄仁勋在本月的财报电话会议上，也将美光列入合作伙伴，但未提及三星。
由于HBM芯片在大模型训练中发挥着至关重要的作用，因此也成为此轮人工智能热潮中芯片厂商争相抢夺的重要资源。在各大科技巨头争先公布更高性能的AI大模型的背景下，用于AI训练的HBM芯片出现严重紧缺。
今年早些时候，SK海力士和美光已经向客户发出警告称，2024年的HBM芯片已售罄，库存紧张的状况预计将持续至2025年，2025年的HBM芯片订单也已爆满。
盛陵海对第一财经记者表示，在全球市场上，英伟达、AMD这些芯片巨头“几乎承包了所有的产能”。“英伟达将HBM用于其GPU，推动了业内对HBM的需求。AI训练和推理需要高带宽。”他说道。
目前，市场仍期待三星能在HBM芯片领域赶上竞争对手。大和证券执行董事兼分析师SK Kim在早些时候发布的一份投资报告中称，三星在12层HBM3e样片工艺上仍处于相对领先的地位，如果能尽早实现量产交付，将有望在2024年底和2025年获得更多市场份额。
